六氟-1,3-丁二烯（C₄F₆）作為低溫室效應的環保型蝕刻氣體，主要用于半導體干法刻蝕工藝。隨著物聯網、云計算、人工智能等技術的運用，未來全球數據量將急劇增長，隨之對存儲能力的要求也越來越高，而2D平面結構已經到達技術極限，3D結構是未來發展必然趨勢。隨著3D NAND技術的發展，C₄F₆的消耗量將大幅增加，NAND FLASH從2D轉向3D過程中，單片晶圓使用C₄F₆的消耗量達到之前的6倍以上。

刻蝕性能比較C₄F₆，亦稱六氟-1,3-丁二烯、HFBD，其作刻蝕使用具有以下優異性能：C/F比高達67%，與C₄F₈、C5F₈相比，使用C₄F₆可得到更高的刻蝕速率選擇比；與C₄F₈相比，C₄F₆有更高的對光阻和氮化硅選擇比。這兩個刻蝕優點，可提高刻蝕的穩定性和生產效率，從而提高產品良率和可靠性，因為隨著器件尺寸推進到0.13um，孔的CD（關鍵尺寸）要比0.18um小30％左右，鍵膜層的選擇比要高，這樣才能擴大蝕刻的窗口。另外，C₄F₆全球變暖潛值低，產生的溫室效應小，具有更好的環保特性，使用C₄F₆取代C₄F₈，可減少65%-82%PFC的排放。

C₄F₆可取代CF₄，用于KrF激光銳利蝕刻半導體電容器圖形（Patterns）的干法工藝。C₄F₆具有各向異性，在硅和氧化硅蝕刻中可產生理想的高寬比，在蝕刻形成聚合物薄膜（光刻膠）對側壁起保護作用。